1. 碳化硅（SiC）是一种由硅（Si）和碳（C）组成的半导体化合物，属于宽带隙（WBG）系列材料。

2. 由于其物理键结构牢固，碳化硅材料展现出极高的机械、化学和热稳定性。

3. 由于宽带隙特性以及高热稳定性，碳化硅器件能够在比硅材料更高的结温下运行，耐受温度超过200°C。

4. 在电力应用领域，碳化硅的主要优势之一是其低漂移区电阻，这对于高压电力设备至关重要。