光耦，即光耦合器，是一种将发光器件（如发光二极管）和光敏器件（如光敏三极管）组装在一起，通过光线实现耦合构成电-光-电转换的半导体器件。其参数主要包括反向电流IR、反向击穿电压VBR、正向压降VF、正向电流IF、结电容CJ、反向击穿电压V（BR）CEO、输出饱和压降VCE（sat）、反向截止电流ICEO、电流传输比CTR、脉冲上升时间tr、下降时间tf、传输延迟时间tPHL、tPLH、入出间隔离电容CIO、入出间隔离电阻RIO、入出间隔离电压VIO等。

光电耦合器工作时，具有共模抑制比高、输出特性和传输特性等基本特性。首先，光电耦合器的共模抑制比很高。这是因为发光管和受光器之间的耦合电容很小（通常在2pF以内），共模输入电压通过极间耦合电容对输出电流的影响非常小。

其次，光电耦合器的输出特性是指在特定发光电流IF下，光敏管所加偏置电压VCE与输出电流IC之间的关系。当IF=0时，发光二极管不发光，此时的光敏晶体管集电极输出电流称为暗电流，一般很小。当IF大于0时，在一定的IF作用下，IC与VCE基本无关，IC与IF呈线性关系，用半导体管特性图示仪测出的光电耦合器输出特性与普通晶体三极管输出特性相似。

光电耦合器的隔离特性包括隔离电压Vio、隔离电容Cio和隔离电阻Rio。隔离电压Vio指光耦合器输入端与输出端之间的绝缘耐压值；隔离电容Cio为光耦合器输入端与输出端之间的电容值；隔离电阻Rio是半导体光耦合器输入端与输出端之间的绝缘电阻值。

光电耦合器的传输特性主要表现在电流传输比CTR和上升时间tr、下降时间tf上。电流传输比CTR是指在输出管工作电压为规定值时，输出电流与发光二极管正向电流之比；上升时间tr和下降时间tf则是在规定工作条件下，发光二极管输入规定电流IFP的脉冲波，输出端管输出相应脉冲波所需的时间，分别是从输出脉冲前沿幅度的10%到90%和从90%到10%所需的时间。