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TLM法测量欧姆接触电阻

发布时间:2025-02-01 07:55:31

欧姆接触在半导体器件中的重要性不言而喻,其接触电阻的测量和评估对于确保器件性能至关重要。其中,TLM(Transmission Line Model)法是测量欧姆接触电阻的传统且成熟的手段,本文将介绍其原理、计算方法以及应用实例,以期帮助读者更深入地理解欧姆接触电阻的测试过程。

TLM法基于传输线模型,适用于薄层材料的接触电阻测试。测试过程中,需要在材料表面刻蚀凹槽形成独立台面,并在台面上制作排列整齐的矩形金属电极。电极间的间距和宽度决定了测量结果的精确度。假设材料均匀,导电沟道的电阻率固定,电极的电阻率相同,则相邻电极间的总电阻由接触电阻和材料体电阻两部分组成。通过将方块电阻定义引入,可简化表达式,进而与间距成线性关系。利用线性拟合计算接触电阻和方块电阻,同时可进一步求解传输长度和比接触电阻率。

测试案例中,以n型AlGaN材料为例,通过半导体参数分析仪与探针台进行测试。在制作电极时,间距从5至25微米不等,电极尺寸固定为100×100微米。通过测量相邻电极间的IV曲线,可以计算得到相应的电阻值。最终,通过数据拟合,获得了欧姆接触电阻、方块电阻等参数的具体数值。

TLM法的关键在于确保测试区域的准确性和数据处理的精确性,通过合理的电极布局和线性拟合,能够有效评估欧姆接触的质量。这一方法在实际应用中具有广泛的适用性,尤其适用于需要高精度测量的场合。

广东省科学院半导体研究所的测试分析平台提供TLM法的测试服务,欢迎有合作需求的读者联系,共同探讨和推进半导体材料性能评估的技术发展。

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