1、去psg层，将经过扩散掺杂的电池片，浸泡在hf溶液中，去除扩散掺杂过程中产生的psg。

2、清洗，将上述电池片，用纯化水清洗去除电池片残留的hf。

3、pecvd氮化硅镀膜，将上述电池片，进行pecvd氮化硅镀膜工艺处理，在电池片正面制备一层氮化硅薄膜。

4、去背结及抛光，将上述电池片，浸泡在四甲基氢氧化铵(tmah)溶液中，由于电池片上表面存在一层氮化硅薄膜可以保护正面不被tmah反应。

4、清洗，将上述电池片，用纯化水清洗去除电池片片上残留的tmah碱液。