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半导体二极管中沟槽工艺和平面工艺有什么区别
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半导体二极管中沟槽工艺和平面工艺有什么区别
半导体;二极管中,沟槽工艺和平面工艺有什么区别
FinFET在发明之初就是为了解决平面晶体管的短沟道效应问题,其结构如图1所示。与平面晶体管不同之处在于FinFET的沟道平面垂直于衬底平面,并且沟道两侧以及顶部同时受到栅电极的电压控制,因此从静电势的分布来看,整个沟道厚度方向上存在着更为均匀的电场控制,使得沟道电荷···
2025-01-18 01:56:16