接触电阻是CMOS工艺技术平台中极为关键的参数，对电路的额外串联电阻有着重要影响。因此，在工艺流程中，fab会检测WAT参数来评估接触电阻Rc的准确性。

CMOS工艺平台的接触电阻测试结构采用链条结构，设计旨在增加接触孔的数目，以获得更多的接触电阻整体阻值。通过平均化测试结果，可减少其他影响因素，获取更精确的阻值。

n型和p型AA接触电阻作为三端器件，分别连接到PAD_N1、PAD_N2和PAD_B，以及衬底（PW）。测量原理是通过在电阻的一端加载1V DC电压，另一端与衬底接地，计算电流In。公式Rc_NAA=［1/In-（N/2）Rs_NAA］/N用于计算接触电阻，其中N为AA接触孔的数目，N/2为测试结构中n型AA方块电阻的数目。金属电阻的影响则被忽略。类似地，P型接触电阻的测量原理相同。

CMOS工艺平台的Poly接触电阻同样采用链条结构的测试方法，与AA接触电阻类似，但版图略有不同。测试原理和方法与AA接触电阻相仿，不再赘述。

金属通孔（VIA）接触电阻的测试包含平台的所有通孔层。其版图与AA接触电阻类似，设计目的同样是减小其他影响因素，以获得更精确的阻值。测试方法与AA接触电阻类似，不再详述。

在接触电阻测试中，常见异常包括：通孔刻蚀尺寸异常；Ti/TiN相关工艺异常；n+和p+离子注入异常；接触孔刻蚀尺寸异常；以及硅金属化相关工艺异常。这些异常可能导致测试结果的偏差，影响电路性能。